Toggle navigation
صفحه اصلی
مرور
شماره جاری
بر اساس شمارههای نشریه
بر اساس نویسندگان
بر اساس موضوعات
نمایه نویسندگان
نمایه کلیدواژه ها
اطلاعات نشریه
درباره نشریه
اهداف و چشم انداز
اعضای هیات تحریریه
سیاست دسترسی آزاد و حق چاپ
خط مشی سرقت ادبی
فرایند پذیرش مقالات
اصول اخلاقی انتشار مقاله
بانک ها و نمایه نامه ها
سیاست بایگانی
منابع درآمد
آمار نشریه
پیوندهای مفید
پرسشهای متداول
اخبار و اعلانات
راهنمای نویسندگان
ارسال مقاله
داوران
تماس با ما
ورود به سامانه
ورود به سامانه
ثبت نام
English
کلیدواژهها =
ترانزیستور اثر میدان
تعداد مقالات:
1
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمائی
دوره 8، شماره 23، دی 1389، صفحه
19-23
10.22075/jme.2017.1571
علی اصغر اروجی؛ سارا حیدری
مشاهده مقاله
اصل مقاله
768.4 K
مقالات آماده انتشار
شماره جاری
شمارههای پیشین نشریه
دوره 22 (1403)
دوره 21 (1402)
دوره 20 (1401)
دوره 19 (1400)
دوره 18 (1399)
دوره 17 (1398)
دوره 16 (1397)
دوره 15 (1396)
دوره 14 (1395)
دوره 13 (1394)
دوره 12 (1393)
دوره 11 (1392)
دوره 10 (1391)
دوره 9 (1390)
دوره 8 (1389)
دوره 7 (1388)
دوره 6 (1387)